三星将采用台积电3纳米工艺生产英伟达HBM基底芯片

据韩国媒体报道，三星电子已决定在英伟达下一代定制高带宽内存NVHBM的生产中，将堆叠底部的基底芯片交由台积电以3纳米工艺代工，这是三星首次与台积电在HBM制造环节合作。英伟达称NV… [原文链接]