三星电子将采用台积电3纳米工艺生产英伟达HBM基底裸片

据韩国媒体10月18日报道，三星电子已决定在英伟达下一代定制高带宽内存NVHBM的生产中，将基底裸片交由台积电以3纳米制程代工。此前三星供应的HBM产品，核心裸片与基底裸片均由其自… [原文链接]