三星电子得州二厂本月动工 定向生产HBM基础裸片 三星电子计划于11月在得克萨斯州泰勒市动工建设第二座晶圆代工厂。该厂占地约25万平方米,规模约为泰勒一厂的1.5倍,采用2纳米制程,规划产能已被客户预订,其中大部分订单来自AMD,… [原文链接] 上一篇:美光暂停桃园新厂建设 劳资纠纷拖累HBM产能扩张 下一篇:谷歌母公司Alphabet建仓高通 斥资约5.48亿美元