台积电应英伟达要求规划3D DRAM 评估两条建厂路径 据两位直接知情人士透露,台积电最近开始制定生产3D DRAM的计划,这一决定是应其最大客户英伟达的请求作出的。3D DRAM通过垂直堆叠存储单元提升单位面积容量,被视为应对AI服务… [原文链接] 上一篇:长江存储拟建武汉第四座NAND厂 瞄准300层以上工艺 下一篇:SK海力士HBM4良率升至六成中段 清州产能拉满