美光明确存储技术路线 HBM4已进入大规模量产 美光在投资者技术网络研讨会上披露DRAM、HBM与NAND三条产品线的路线图。公司确认下一代DRAM节点继续沿用6F2架构,不会转向4F2,理由是后者工艺更复杂、成本更高而微缩收益… [原文链接] 上一篇:泛林集团首财季营收82.19亿美元 同比增54% 下一篇:英特尔亚利桑那新厂启动装机 计划2028年底量产