长江存储拟建武汉第四座工厂,瞄准300层以上NAND 长江存储计划在武汉建设第四座闪存工厂,生产公司最先进的NAND芯片,存储单元垂直堆叠层数将超过300层,产品主要面向数据中心与人工智能应用。堆叠层数越高,单位面积可容纳的存储容量越… [原文链接] 上一篇:三星泰勒二厂本月动工,为AMD与英伟达生产HBM基底 下一篇:美光暂停桃园45亿美元工厂建设,劳资纠纷升级