长江存储拟建武汉第四座NAND厂瞄准300层以上工艺

路透社援引知情人士消息称，长江存储计划在武汉建设第四座NAND工厂，生产公司最先进的闪存芯片，存储单元垂直堆叠层数将超过300层，主要面向数据中心与AI应用。新工厂的国产设备采购比… [原文链接]