长鑫存储拟投349亿元建DRAM研发与测试基地

长鑫科技公告称，拟动用超募资金180亿元投建两个存储项目，合计总投资349亿元。其中，DRAM技术研发项目总投资241亿元，拟使用超募资金130亿元，建设周期30个月，实施地点位于… [原文链接]