长鑫科技拟斥资349亿元投建研发与DRAM后道测试两大项目

长鑫科技发布投资计划，拟使用首次公开发行超募资金130亿元投资新建技术研发项目，该项目规划总投资241亿元，建设周期30个月。公司同时拟以增资和借款方式，向全资子公司长鑫存储产品（… [原文链接]