韩媒：长江存储 NAND 达 270 层，中韩技术差距收窄至三年

韩媒援引韩国半导体产业界人士的说法称，中韩两国在存储领域的技术差距正在收窄，在最复杂的 HBM 环节已缩小到约三年，其他环节的差距通常为一到两年，而此前韩方对中国落后程度的估计约为… [原文链接]