据首尔经济日报10月18日报道，三星电子将采用台积电的晶圆代工工艺，生产英伟达下一代定制高带宽内存（HBM）的核心组件基底裸片（base die）。此前，三星供应的所有HBM产品中，作为存储芯片的核心裸片（core die）与充当系统半导体的基底裸片均由三星自主生产。此次调整意味着三星在定制HBM产品线上放弃了原有的垂直整合制造模式。
业内消息人士18日透露，英伟达已向三家NVHBM供应商三星电子、SK海力士和美光提出统一要求：基底裸片采用台积电3纳米工艺制造，核心裸片统一采用代号1c的第六代DRAM工艺。NVHBM基于第七代HBM标准HBM4E架构开发，是英伟达于8月发布的定制版高带宽内存产品。英伟达提出上述要求的原因在于，各HBM供应商的制造方案存在差异，难以基于同一套设计实现稳定一致的性能表现，标准化生产同时可减少针对每家供应商单独开展的产品验证工作量。
负责三星晶圆代工业务的设备解决方案事业部经过内部评估，决定接受英伟达的技术要求。对于标准HBM产品，三星仍将保留一站式全包生产策略。今年三星在全球率先量产第六代HBM4，目前第七代HBM4E正处于量产验证阶段，这两款产品的基底裸片均采用三星自研4纳米代工工艺，核心裸片则在三星华城、平泽厂区的1c产线生产。面向AMD等其他客户的定制HBM产品，三星计划继续沿用一站式全包方案。
三星同时保留了在自有晶圆厂研发和生产NVHBM的可能性。一位业内人士表示，三星正在验证能否在自有产线上制造NVHBM基底裸片，这是一项预案，用于防止NVHBM需求超出台积电产能上限。该预案的存在表明，三星在承接英伟达定制订单时，对供应链产能风险已有预判。
从行业层面看，英伟达统一指定基底裸片代工方与核心裸片工艺，反映出定制HBM市场正从各家供应商独立方案向标准化架构收敛。对三星而言，将高附加值的基底裸片交由竞争对手台积电代工，短期内在定制产品线上让渡了部分制造环节的主导权，但换取的是与英伟达下一代平台深度绑定的机会。对台积电来说，3纳米工艺切入HBM基底裸片制造，进一步扩展了其在AI算力供应链中的代工版图。随着HBM4E进入量产验证阶段，三家存储厂商在英伟达定制产品线上的工艺路线趋于一致，后续竞争将更多集中在良率、产能与交付节奏上。
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