瑞萨电子10月6日宣布推出公司首款低压氮化镓（GaN）功率半导体产品。该系列为100V增强型（E-mode）GaN分立功率晶体管，面向AI数据中心、人形机器人、工厂自动化及工业电机驱动等应用领域。这是瑞萨自2024年收购Transphorm切入GaN赛道后，首次将产品线从高压延伸至低压区间。
此次发布的产品包括RTP100E005G1FL、RTP100E2P6G1FL、RTP100E1P8G1FL-DSC和RTP100E1P2G1FL-DSC四款型号。官方数据显示，相比同类GaN器件，该系列硬开关优值（FOM）最高降低35％，软开关FOM最高降低63％。相较于传统硅基设计，效率提升1％至3％，开关损耗降低40％至70％，并消除了反向恢复电荷（Qrr）损耗。
在封装层面，该系列产品采用与标准MOSFET兼容的封装尺寸，客户可从硅MOSFET布局快速迁移至GaN方案，无需大幅重新设计PCB。这一策略降低了低压GaN器件的导入门槛，有助于缩短产品验证周期。
氮化镓作为宽禁带半导体材料，禁带宽度约为3.4电子伏特，临界击穿电场约为硅的10倍。GaN功率器件依托AlGaN/GaN异质结界面的二维电子气导电，具备更快的开关速度与更低的栅极电荷，且没有体二极管，反向恢复电荷几乎为零。GaN功率器件主要分为增强型与耗尽型共源共栅两大技术路线。瑞萨此前的GaN产品多基于收购Transphorm所获的耗尽型SuperGaN技术，本次100V产品则是其首款增强型GaN分立器件。
优值（FOM）是衡量功率器件综合性能的常用指标，常见形式为导通电阻与栅极电荷的乘积。硅MOSFET的该指标一般约为1000mΩ·nC，GaN器件仅约50至100mΩ·nC，差距显著。
瑞萨电子于2024年6月完成对Transphorm的收购，同步推出15款基于GaN的参考设计。2025年7月，瑞萨发布基于SuperGaN平台的650V第四代增强型GaN FET，面向AI数据中心、服务器电源及电动汽车充电等数千瓦级应用。本次100V低压产品的推出，标志着瑞萨GaN产品矩阵从高压向低压场景的系统性扩展。
随着AI数据中心功率密度持续攀升、人形机器人对电机驱动小型化提出更高要求，低压GaN器件在48V及以下供电架构中的渗透率有望加速提升。瑞萨以兼容硅MOSFET封装的方式切入该市场，或将对现有低压功率半导体竞争格局产生影响。
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