据《韩国经济日报》报道，三星电子存储器业务的12层堆叠HBM4E内存已于9月末通过英伟达及主要超大规模数据中心企业的质量验证测试。目前，各客户的供货量、合同规模及出货时间尚未确定。三星电子官方对此回应称“无法确认”相关产品是否已通过客户质量验证。
三星电子在今年5月实现了12Hi HBM4E产品的出样。该产品结合了1c nm DRAM Die与4nm Logic Die，单堆栈容量达48GB，支持14至16Gbps引脚速率，能效提升16％，热阻改进14％。这些技术参数表明，三星在HBM4E世代的产品开发上已进入客户验证阶段。
HBM（高带宽内存）是AI加速芯片的关键配套组件，英伟达等GPU厂商对其供应稳定性与性能表现高度依赖。此前，三星在HBM3及HBM3E世代的市场份额落后于SK海力士，后者率先向英伟达批量供货。若此次12层HBM4E通过主要客户验证，将有助于三星在下一代AI内存竞争中缩小差距。
超大规模数据中心企业对高带宽内存的需求持续增长，主要受大模型训练与推理算力扩张驱动。HBM4E作为下一代标准，预计将在2025年至2026年逐步进入量产阶段。三星能否在供货规模与良率上满足客户要求，将决定其在AI内存供应链中的实际份额提升幅度。
截至发稿，英伟达未就上述验证消息作出公开回应。三星电子也未披露12Hi HBM4E的具体量产时间表。后续客户订单落地情况仍是观察其在AI内存市场竞争态势的关键指标。
该文观点仅代表作者本人，企服科学平台仅提供信息存储空间服务。
