铭芯启睿（MemSilicon）近日宣布，其基于1TnR技术路线的首代高密度、大容量RRAM芯片“泰山一号（MountTai 2026）”已完成流片，目前正推进芯片验证工作。该芯片采用28nm CMOS工艺平台及1T4R存储结构，单芯片容量达1Gb，存储密度为30Mb/mm²，访问延时小于20ns，并集成片上硬件纠错电路。
1T4R结构通过一个选择晶体管连接四个阻变存储单元，以提升存储密度。该技术路线利用与CMOS平台完全兼容的后道集成方式，在密度、容量和成本之间实现协同。铭芯启睿方面表示，泰山一号在大容量、高密度与高速读取之间取得协同突破，为片上高密度大容量新型非易失存储应用提供了具有国际竞争力的解决方案。
铭芯启睿成立于2024年5月，致力于以先进工艺节点阻变存储器为基础，结合存算融合及先进封装技术，解决“内存墙”瓶颈，面向消费、工业与数据中心领域，提供AI高性能“感-存-算”一体化解决方案及定制化存储IP与芯片产品。公司联合创始人、董事长为刘琦教授。
融资方面，铭芯启睿已于2025年完成近亿元天使轮融资，2026年1月完成超亿元Pre-A轮融资，由国开科创、联想创投领投，中芯聚源、顺禧基金、恒裕投资跟投，老股东中科创星、小米战投持续加码。目前，公司已与多家上下游企业建立合作，围绕存储工艺制造技术展开联合攻关，并深度绑定多家龙头企业客户。
RRAM（阻变存储器）被视为后摩尔时代新型非易失存储的重要方向之一，其与CMOS工艺的兼容性使其在嵌入式存储和存算一体场景中具备潜在优势。泰山一号完成流片并进入验证阶段，意味着1TnR高密度存储技术从实验室研究向Gb级芯片产品化落地迈出关键一步，后续验证结果将影响该技术路线在数据中心及AI算力场景中的商业化节奏。
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