市场调查机构集邦咨询（TrendForce）援引多方报道称，预估2026年第四季度DRAM合约价格环比上涨约20％。从涨幅来看，相较第二季度约80％和第三季度约40％的水平已呈现增速放缓，但DRAM市场整体仍处于价格高位，延续供应紧张、需求强劲的周期。
推动本轮价格上涨的核心因素是人工智能推理需求的持续扩张。更大模型、更长上下文窗口以及不断增长的KV缓存需求，正在拉动服务器DRAM和企业级SSD的容量与带宽需求。与此同时，主要存储器厂商将产能优先投向HBM等高端产品，使传统DRAM供给更趋紧张。
涨势放缓亦有现实原因：前期价格基数已处于较高水平，终端市场购买力有所减弱，部分长期采购协议中的价格上限正逐步生效，限制了价格进一步快速上涨的空间。
在HBM方面，由于供应吃紧，英伟达据报正考虑将Rubin Ultra的HBM堆叠层数从12层降至8层。若其他条件不变，单颗GPU的HBM容量将减少约33％，但同样的DRAM芯片供应理论上可支持多50％的GPU出货。不过，8层HBM因基础裸片成本占比更高，2027年每Gb成本预计反而比12层高出10％至20％。
从产业链角度看，DRAM合约价维持高位将直接推高服务器与AI基础设施的整机成本，对云服务商和AI算力采购方形成持续压力。厂商产能向HBM倾斜的结构性变化短期内难以逆转，传统DRAM的供给弹性仍然有限，价格走势将在很大程度上取决于AI推理需求的增长节奏与长期协议价格机制的调节效果。
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