据日媒《日刊工业新闻》报道，佳能计划到2029年将其面向半导体后端工艺的光刻机产能较当前水平提升50％。该计划聚焦先进封装环节，反映出半导体制造后道工序对光刻设备需求的持续增长。
佳能正在开发用于先进封装工艺的i线光刻设备。该公司还开发了一种分辨率达0.8μm（800nm）的大尺寸基板光刻机台，可处理510×515（mm）基板，具备高对准精度和大视场角。此类设备主要面向重新分布层（RDL）等先进封装关键工艺，用于在基板上形成高密度布线图案。
佳能半导体设备事业部负责人三浦圣也在接受采访时表示，无掩膜直写图案化方案目前暂时还不是i线光刻机在RDL生产领域的直接竞争对手。这一表态说明，在先进封装的光刻环节，传统i线光刻方案仍在量产中占据主导地位，无掩膜直写技术尚未形成实质性替代压力。
今年8月，佳能时隔21年开设新的光刻机工厂，明确将非先进制程机台需求作为重点方向。此次产能扩张计划与上述布局形成呼应，表明佳能正将后端封装光刻设备作为半导体设备业务的重要增长点。
随着先进封装在AI芯片、高性能计算等领域的重要性不断提升，后端光刻设备的需求预期同步走高。佳能此次产能规划若按期落地，将使其在先进封装光刻设备市场的供给能力显著增强，也将加剧该细分领域与尼康等厂商的竞争。
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