长鑫科技市值重回4万亿元,国产DRAM龙头股价早盘大涨9%

长鑫科技上市首日即刷新四大A股历史纪录,成为A股首只开盘市值破3万亿元的科技股。

8月17日早盘,A股市值第一的长鑫科技股价持续拉升。截至早盘收盘,该公司大涨9.01%,成交额超223亿元,市值重回4万亿元,达到4.02万亿元。这一数字标志着这家国产DRAM龙头企业自7月上市以来,再度站上4万亿市值关口。

长鑫科技于7月27日正式登陆科创板,上市首日收涨465.82%,总市值突破3.28万亿元,登顶A股市值榜首。7月31日,该公司盘中涨超13%,总市值首次突破4万亿元。此次市值重回4万亿,距离其首次突破仅相隔两周有余,显示市场对其在存储芯片领域的持续看好。

长鑫科技上市首日即刷新四项A股历史纪录:其一,成为A股历史上首只开盘市值突破3万亿元的科技股,开盘总市值约3.31万亿元;其二,登顶A股市值榜首;其三,成为A股首只单日成交额突破千亿元的个股,上市首小时成交已超1000亿元;其四,成为A股首只千亿成交额叠加超50%换手率的新股。

公开资料显示,长鑫科技专注于DRAM(动态随机存取存储器)产品的研发、设计与销售,是国内少数掌握DRAM核心技术并实现规模化量产的企业。DRAM是半导体存储器的核心品类,广泛应用于服务器、个人电脑、智能手机及各类智能终端,其技术水平与产能规模直接关系到国家在存储芯片领域的自主可控能力。

从行业背景看,全球DRAM市场长期由三星电子、SK海力士、美光科技三家巨头主导,合计占据超过九成市场份额。长鑫科技作为国产替代的重要力量,其科创板上市及市值表现受到资本市场高度关注。此次市值重回4万亿,反映出投资者对国产存储芯片赛道长期增长潜力的认可,也体现了市场对AI算力需求带动存储芯片景气度上行的预期。

分析人士指出,随着人工智能大模型训练与推理对高带宽存储器(HBM)及大容量DRAM的需求持续增长,存储芯片行业正迎来新一轮上行周期。长鑫科技在DRAM领域的产能扩张与技术迭代进展,将成为影响其后续市值走势的关键变量。此外,该公司作为A股科技板块市值标杆,其股价波动对科创板乃至整个A股半导体板块的情绪具有一定传导效应。

截至早盘收盘,长鑫科技报收于当日高位,成交额超223亿元,换手率维持在较高水平。市场关注其午后走势能否延续涨势,以及后续能否稳定在4万亿元市值上方。对于这家国产存储龙头而言,市值重回4万亿或只是阶段性节点,其在全球DRAM竞争格局中的实际突破,仍需以产品出货量与技术代际更迭来验证。

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