在第四届集成芯片和芯粒大会上，长鑫存储总裁曹堪宇博士披露了该公司在DRAM器件、4F²架构及混合键合等方向的技术探索与积累，并宣布预计于年底推出融合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。这是长鑫存储首次公开确认4F²架构DRAM产品的落地时间表。
据曹堪宇介绍，长鑫存储自成立之初便启动了4F²架构的研究与专利布局，目前公开专利族超过300件，数量领先海内外厂商。该公司于2021年发布中国大陆首篇4F²架构相关论文，此后在2023年和2025年的两篇论文中持续披露该架构的研发进展。
当前行业主流DRAM存储单元采用6F²架构。在DRAM芯片设计中，一个存储单元通常由一个晶体管和一个电容器组成。4F²意味着每个单元仅占4倍最小特征尺寸的平方，从而实现存储密度的提升。从6F²到4F²的跨越属于根本性变革，原有6F²工艺无法直接复用，需要构建全新的器件与工艺体系。长鑫存储在研发过程中对多项核心工艺流程进行了深度技术探索，全面优化了字线金属化、位线成型以及结激活等关键工艺环节，以实现更优的性能与功耗比。
此次演讲未披露即将推出的DDR5 RDIMM的具体规格信息和发布时间。DDR5 RDIMM是当前服务器市场的主流内存配置，长鑫存储将4F²架构的首代产品定位为DDR5 RDIMM，意味着其将直接进入服务器内存领域，该领域对可靠性、一致性和工程化能力的要求显著高于消费级产品。
从行业角度看，4F²架构的产业化推进将影响DRAM存储密度的演进路径。三星、SK海力士、美光等国际厂商也在围绕4F²及更先进架构展开研发竞争。长鑫存储此次将4F²架构与混合键合技术整合至DDR5 RDIMM产品，若年底如期推出，将标志着中国大陆DRAM厂商在先进架构领域从技术研究向产品化迈出关键一步。服务器内存市场的验证周期较长，该产品后续的客户导入和量产爬坡进展值得持续关注。
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