据韩媒ZDNET Korea报道，三星电子已制定计划，力争于明年初完成先进封装技术“3D Cube-H”的开发工作。该技术采用混合键合（Hybrid Bonding）方案，主要面向超高性能AI芯片的封装需求。
3D Cube是一种将多颗芯片垂直堆叠的先进封装技术，相比传统芯片水平排列结构，可在相同面积内集成更多晶体管。三星电子此前已基于热压键合（TC Bonding）技术开发出3D Cube-T，目前推进的3D Cube-H则转向混合键合路线。三星电子一直在开发端子间距约为6微米的3D Cube-H，而目前采用传统TC键合技术的芯片端子间距至少约为25微米，两者差距显著。
据一位熟悉相关情况的业内人士透露，三星电子此前一直在积极开发面向3D系统（逻辑）芯片的混合键合技术，公司计划在明年初完成首个设计套件，之后将开始与潜在客户进行评估。另一位半导体行业人士表示，采用混合键合技术能够大幅提高芯片之间的连接密度，同时降低每比特能耗，在散热方面也比TC键合更具优势。
先进封装已成为晶圆代工竞争的关键环节。随着AI芯片对算力和能效的要求持续提升，芯片堆叠与互连技术的演进直接影响代工厂承接高性能计算订单的能力。若3D Cube-H按计划完成开发，三星电子晶圆代工业务有望借此争取大客户订单，在AI芯片封装领域缩小与竞争对手的差距。
该文观点仅代表作者本人，企服科学平台仅提供信息存储空间服务。
