据韩媒 THE ELEC 报道，三星电机正与高通合作开发面向 AI 半导体芯片的 2.1D 先进封装，双方在该异构集成技术平台上已进行超过一年的研发与认证。
据悉，两家企业的 2.1D 封装采用了嵌入式有机桥片方案。其设计思路与英特尔的 EMIB 类似，但以成本更低的有机材料取代了 EMIB 中的硅桥片。这一技术路线一方面可降低制造成本，另一方面也可规避英特尔持有的 EMIB 相关专利。
从技术参数来看，三星电机尝试的有机桥片可视为以 RDL（重布线层）工艺形成 5~7 层微电路的小型衬底，目标实现 1.5~2μm 的线宽/间距、4~5μm 的通孔尺寸以及 500~1000/mm 的图案密度。与传统 FC-BGA 的堆叠式电路相比，有机桥片能够实现更精细的布线，从而带来更高的 I/O 带宽。
随着 AI 芯片对算力和数据传输速率的要求持续提升，先进封装已成为半导体产业链竞争的关键环节。当前，台积电的 CoWoS 产能持续紧张，英特尔 EMIB 主攻自家及部分代工客户，三星电机此次联合高通推进有机桥片方案，意在为 AI 芯片封装市场提供一条兼具成本优势和专利安全性的替代路径。
若该技术通过认证并实现量产，三星电机有望在 AI 半导体封装供应链中占据更有利的位置，同时也将为高通在 AI 芯片产品的封装选型上增加更多灵活性。目前双方尚未公布具体的量产时间表。
该文观点仅代表作者本人，企服科学平台仅提供信息存储空间服务。
