据韩媒ZDNET Korea报道，三星电子与SK海力士两家DRAM制造商计划于2027年第2季度实现八层堆叠（8Hi）HBM4内存堆栈的全面量产，并向英伟达出货。目前两家公司产出的HBM4内存主要为容量更大的12Hi版本。
报道称，英伟达已于2026年第3季度就8Hi HBM供应事宜与两家原厂展开认真讨论。此次产品规划调整的主要原因，是英伟达考虑在Rubin Ultra和标准Rubin中应用8Hi HBM4（E），以优化整体供应结构。英伟达已将HGX Vera Rubin NVL8和HGX Rubin NVL8的规格调整为系统合计2TB HBM4，这一容量对应8Hi 32GB的HBM4堆栈。
从技术角度看，8Hi与12Hi的差异直接影响供应成本与良率。12Hi版本单一堆栈中包含更多DRAM Die，在同等带宽下成本更高、所需堆栈数量更少，但堆叠层数增加也意味着良率下滑。转向8Hi方案后，单堆栈层数降低，有利于提升制造良率并改善供应稳定性，但需要更多堆栈来达到同等系统容量。
HBM4是面向下一代AI加速器的高带宽内存产品，其供应节奏与规格选择直接关系到英伟达Rubin系列平台的量产安排。三星电子与SK海力士作为全球主要DRAM制造商，在HBM4上的产能分配与产品组合将影响AI算力基础设施的供给格局。此次8Hi HBM4的量产时间表若按计划推进，意味着英伟达在Rubin平台的内存配置上采取了容量与良率平衡的策略。
目前两家原厂尚未对上述报道作出回应，8Hi HBM4的具体量产规模与出货价格亦未披露。后续需关注英伟达Rubin平台的内存规格最终定案，以及两家DRAM厂商在12Hi与8Hi产品之间的产能切换节奏。
该文观点仅代表作者本人，企服科学平台仅提供信息存储空间服务。
