SK海力士计划2028年将High NA EUV技术导入DRAM量产

据路透社报道，SK海力士在一份声明中表示，公司目标在2028年将High NA（高数值孔径）EUV光刻图案化工艺应用于DRAM的大规模生产。这一时间表与三星电子此前公布的计划一致，后者在同日新闻稿中确认，计划在2028年将High NA EUV技术用于先进DRAM内存的大规模生产。

High NA EUV是ASML推出的下一代极紫外光刻设备，相较现有EUV光刻机，其数值孔径从0.33提升至0.55，可显著提高光刻分辨率，被视为延续摩尔定律的关键工具。ASML于当地时间9月8日宣布与台积电、三星电子、英特尔合作，推动High NA EUV生态系统向面积更大的12英寸掩膜（光罩）过渡。SK海力士表示正在评估是否加入这一联盟。

在DRAM制造领域，引入High NA EUV的主要驱动力来自存储单元微缩难度的持续上升。随着10nm级工艺不断演进，传统EUV在图案化精度和成本效率上面临瓶颈。美光此前曾表示，计划为第7代10nm级DRAM工艺1δ（1-delta）导入最新一代EUV光刻设备，但未明确是否采用High NA方案。

SK海力士与三星电子在High NA EUV量产时间表上的同步，意味着DRAM头部厂商正围绕下一代光刻技术展开新一轮竞争。若2028年目标如期落地，存储芯片的制程微缩节奏和单位成本结构可能发生显著变化。与此同时，ASML主导的12英寸掩膜生态能否吸引更多存储厂商加入，将影响High NA EUV在DRAM领域的普及速度。