据韩媒 ZDNET Korea 报道，三星电子正在开发多款针对人工智能负载优化的 NAND 闪存产品。除此前已公布的 zNAND-O 外，该公司还在推进 zNAND-T 与 zNAND-I 两款新品的研发，分别面向不同的 AI 应用场景进行定制化设计。
报道指出，zNAND-T 中的“T”代表 Throughput（吞吐量）。该产品类似于闪迪和 SK 海力士提出的 HBF 概念，主要针对数据中心 AI 半导体的需求优化读写带宽表现，并采用 TSV 堆叠 NAND Die 的封装方式。zNAND-I 中的“I”则是象征随机性能的 IOPS 的简写，强调在少量数据频繁读写操作中的表现，KV Cache 卸载即属于此类典型场景。
此前已公布 zNAND-O 的“O”代表 Operations，侧重于通用运算场景下的综合表现。三款产品各有专长，分别对应不同的应用负载，形成面向 AI 工作负载的 NAND 产品矩阵。
从行业趋势来看，三星此次的产品布局反映出 NAND 闪存正从通用型产品向定制化方向演进。随着大模型推理和 AI 训练对存储带宽、随机读写能力提出差异化要求，存储厂商开始针对具体负载类型设计专用闪存产品，而非以单一规格覆盖全部场景。SK 海力士此前也推出了 AIN Family 产品组合，并指出固态硬盘未来可扩展至 PB 容量，头部存储厂商在 AI 存储赛道的产品分化正在加速。
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