长鑫存储
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长鑫科技回购上限提至50亿元,存储景气抬升资本开支
单季净利 544 亿元、回购上限 50 亿元,存储龙头的钱正在从利润表搬回资产负债表。
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黄仁勋称对与长鑫存储合作持开放态度,强调中国制造业能力
黄仁勋表示,英伟达对与中国存储芯片企业合作持开放态度,并称没有哪个国家在制造业方面比中国更强。
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美光判定4F² DRAM无可行扩展路径,转向3D DRAM并公布四代节点路线
美光认为在二十多年的技术探索后,4F² DRAM 由于复杂度和成本上的不足没有可行的规模化路径。
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长鑫存储4F² DRAM架构研发取得进展,新一代DDR5 RDIMM产品预计年底推出
长鑫将4F²架构的首代产品定为DDR5 RDIMM,将直面服务器内存领域极高的技术与工程壁垒。
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长鑫科技单日宣布349亿元投资,加码DRAM研发与后道测试产能
349亿是产业资本对未来的下注,而金融资本定价的是当期利润的斜率,两者的时间差,恰恰是这门生意全部的博弈空间。
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长鑫科技拟投241亿元建技术研发项目,并投108亿元建存储器晶圆后道测试基地二?
测试是 DRAM 生产中不可或缺的关键环节,但因其测试的专用设备特性,随着公司产能不断提升、产品种类增多,可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足的问题。
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长鑫存储计划进军NAND闪存市场,已启动客户接洽
长鑫存储已就其NAND业务规划与客户展开接洽,其中包含一家新成立的初创企业。