美光（Micron）于当地时间10月21日举行2026年度技术网络研讨会，对DRAM、泛HBM、NAND与SSD产品线进行技术展望。在基础DRAM领域，美光明确判定4F² DRAM在经历二十余年技术探索后，因复杂度和成本问题不存在可行的规模化路径，公司未来将把3D DRAM作为主要发展方向。
这一判断与当前2D 6F² DRAM面临的尺寸收缩瓶颈直接相关。在4F²路线遇阻的背景下，美光选择以3D化结构延续DRAM的密度演进。值得注意的是，长鑫存储此前曾表示计划在年内推出4F²混合键合DDR5 RDIMM，也有消息称三星电子在首代亚10nm级DRAM上放弃了4F²路线，业界在4F²方向上的技术选择已出现分化。
美光同时公布了其DRAM节点的具体推进节奏。第7代10nm级节点1δ已进入良率爬坡阶段，该工艺可带来约25％的代际存储密度提升，并具备优化的成本结构，将广泛应用于HBM5、vHBM、vEIM、LPDDR和DDR等产品。第8代10nm级节点1ε将引入晶圆键合技术；第1代亚10nm级节点ζÅ已处于早期开发阶段，计划导入High NA EUV光刻；第2代亚10nm级节点ηÅ则正在寻路，计划应用新材料。
除存储单元本身外，美光表示DRAM的CMOS逻辑电路也将实现3D化，并称此举将带来显著的性能改进。这一方向意味着DRAM的演进不再局限于存储阵列的微缩，而是向逻辑与阵列协同的三维集成延伸。
从行业层面看，美光对4F²路线的否定与对3D DRAM的押注，为DRAM厂商在亚10nm时代的工艺选择提供了新的参照。随着High NA EUV、晶圆键合与新材料逐步进入DRAM制造流程，存储芯片的竞争重心正从单一光刻微缩转向结构创新与集成工艺的综合能力。
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