9月28日晚间，长鑫科技（688825.SH）连发两份投资公告，宣布合计349亿元的两项重大投资计划，包括总投资241亿元的技术研发项目，以及总投资108亿元的存储器晶圆后道测试基地二期。其中180亿元拟使用IPO超募资金，其余部分通过增资借款补足。
此次投资距离长鑫科技交出半年报仅过去数月。2026年上半年，长鑫科技实现营业收入1503.1亿元，同比增长873.64％；归母净利润776.05亿元，去年同期则为亏损23.32亿元。主营业务毛利率达到84.84％，经营性现金流净额1311.56亿元。从环比数据看，一季度归母净利润247.62亿元，二季度增至528.43亿元，环比增长113％，涨价带来的利润释放仍在加速。
业绩大幅增长的背景是全球DRAM市场供需格局的持续紧张。AI算力需求拉动下，三星、SK海力士、美光将产能向HBM和服务器DDR5倾斜，通用存储产品出现结构性供给缺口。据CFM闪存市场数据，2026年二季度全球DRAM市场规模达1470.24亿美元，环比增长55.9％，创历史新高。长鑫存储份额已逼近10％，位居全球第四，季度销售收入环比增幅位列全球第一。
根据公告，241亿元的研发项目聚焦DRAM制程工艺迭代，建设周期30个月。这一投入建立在长鑫近期完成的技术突破之上：9月，公司第五代DRAM工艺技术平台正式量产，依托四重曝光技术将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米。2026年上半年，长鑫研发投入68.59亿元，同比增长87.38％，241亿元相当于上半年研发投入的3.5倍。
108亿元的测试基地二期项目则指向更现实的产能瓶颈。公告明确提出，随着产能持续释放和产品矩阵丰富，外部封测产能不足、配套资源受限已开始制约产能释放。该项目建设周期37个月，建成后将承担DRAM晶圆测试和模组组装，补强IDM模式下的后道测试能力。
同日，产业链下游企业兆易创新发布公告，将2026年度与长鑫集团的日常关联交易预计额度从57.11亿元上调至78.54亿元，增加原因系DRAM产品代工价格随市场行情上行。同时预计2027年1至4月关联交易额度将达44.11亿元。对比来看，44.11亿元的四个月预计额度已超过兆易创新2026年一季度全部营收（41.88亿元），接近其2025年全年营收（92.03亿元）的一半。2025年双方实际发生的关联交易仅约11.8亿元，一年时间额度膨胀至6.7倍。2026年1至8月实际发生35.96亿元，距离78.54亿元上限仍有42.58亿元空间，四季度采购节奏大概率进一步提速。
与本土龙头逆势扩产形成对照的是海外存储资产的估值收缩。长鑫公告发布前后，美股存储板块集体下挫，美光收跌2.61％，SK海力士收跌5.03％，闪迪收跌3.65％，费城半导体指数收跌1.61％。10年期美债收益率盘中升至5.27％，创2007年以来新高，高利率环境对高估值成长资产形成整体压制。A股方面，长鑫科技9月28日收盘跌4.27％，总市值3.65万亿元，仍居A股市值榜首。
基本面侧的信号同样值得关注。由于存储原厂与部分服务器客户已锁定长协价格上限，非长协订单的涨价空间正在逐季缩小，机构普遍预期三季度DRAM价格继续上涨但涨幅收窄。在涨价动能趋缓之际启动大规模扩产，DRAM产业的歷史经验提供了参照：这一以深周期著称的赛道，行业格局的洗牌几乎都发生在上行周期的扩产决策上。三星正是通过连续多个下行周期的逆周期投资，确立了在存储市场的领先地位。
长鑫的扩产并非同质化堆量。LPDDR6全球首次商用量产，首发于小米18 Fold，峰值速率12800Mbps、最高容量16GB；长鑫10667Mbps的LPDDR5X在努比亚NaviX Ultra上落地，为国产该速率级产品首次量产应用。产品端的卡位表明，349亿元投资的指向不仅是产能规模，更是差异化竞争位置。
测试基地二期建设周期37个月，投产节点预计落在2029年前后，恰好对应本轮紧缺缓解、供需重新寻底的窗口。届时具备新产能、第五代乃至第六代工艺、自建测试体系的企业，与仅享受过一轮涨价红利的企业，将面临截然不同的竞争处境。后续值得关注的变量包括：11.95纳米之后的第六代工艺何时点亮，78.54亿元关联额度明年的执行速度，以及2029年测试基地投产时行业所处的周期位置。
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