据Asia Today报道，全球存储半导体竞争的主战场正转向人才争夺。美光、闪迪等海外存储企业近期相继在韩国设立招聘岗位，争抢高带宽内存（HBM）与NAND闪存设计人才，三星电子则通过提高绩效奖金和扩大股权奖励予以应对。
报道显示，闪迪近期在首尔持续招聘NAND系统架构、核心设计及固态硬盘固件等核心研发岗位。美光此前也已推出首尔办公岗位，招募HBM设计资深工程师。随着AI数据中心投资扩张，HBM、高性能NAND闪存及企业级SSD需求同步增长，全球存储企业间的人才竞争日趋白热化。韩国聚集了以三星电子、SK海力士为核心的DRAM、NAND设计与工艺领域专业人才，被海外企业视为获取核心研发人力的重要市场。
人才竞争推动全球半导体工程师薪酬水涨船高。美光今年面向中国台湾地区员工推出高额激励，根据2026财年业绩，最高可发放相当于68个月薪资的奖励，当地新人工程师总薪酬平均可达340万新台币。
三星电子同样在提高核心人才待遇。根据三星电子半年报，今年上半年总部员工为129200人，较去年同期减少约300人，但员工薪酬总额从去年同期的7.5013万亿韩元增至8.0121万亿韩元，增幅约6.8％。在三星电子单独财务报表中，今年上半年薪酬费用达到25.7659万亿韩元，约为去年同期8.4319万亿韩元的3.1倍。该统计口径包含当期计提入账的长期绩效奖金、股权奖励等各类激励，与实际发放现金工资不同，但反映出账面人力成本正快速攀升。
股权激励方面，三星电子今年上半年承诺向员工授予1777305股普通股，按协议签署当日公允价值计算，总价值3705.68亿韩元，部分已于上半年发放，剩余部分计划在2028年前陆续兑现。此外，三星电子决定面向今年设备解决方案（DS）部门员工，发放相当于2026年一定比例经营业绩的限制性普通股，具体细则将在本年度最终经营业绩确定后发放。此前，三星电子已向设备体验（DX）部门及CSS事业团队员工发放股权奖励，规模达3327亿韩元。
存储行业景气上行，DS部门待遇持续拉高，DX等其他业务部门要求缩小薪酬差距的呼声可能随之增大。工会方面已推动分开谈判，以反映两大部门不同的利益诉求。在应对全球人才竞争与管控部门薪酬差距的双重压力下，三星电子未来的人才保留成本大概率将继续上升。
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