杭州镓仁半导体有限公司于9月14日宣布，基于自主研发的SCIENCE系列VB法长晶设备，全球首次实现12英寸氧化镓晶体等径生长。这是继今年3月该公司实现全球首次8英寸氧化镓同质外延生长之后，在氧化镓材料领域的又一关键进展。
等径生长是晶体从实验室走向产业化的重要环节。只有当晶锭形成直径恒定的等径段，才具备连续稳定、可直接用于切磨加工的有效部分。等径段越厚，单根晶锭可切割出的合格衬底片数量越多，单片衬底的成本相应降低。此次12英寸等径生长的实现，意味着氧化镓晶体在尺寸和可用性上向规模化制造迈进了一步。
在产线兼容性方面，12英寸氧化镓衬底与主流硅产线的兼容度较高，可降低下游设备投资和产线切换成本，缩短研发周期。这一特性有助于氧化镓材料更快导入现有半导体制造体系。
镓仁半导体自研的SCIENCE系列VB法长晶设备温控精度达到±0.1℃，具备“设备+工艺包”一体化能力，已实现从2英寸到12英寸晶体的快速迭代。此前，该公司已建成6/8英寸氧化镓同质外延量产线，其晶圆级厚膜外延片器件验证性能超过进口产品。
氧化镓作为第四代半导体材料，在功率器件领域具备高击穿场强、低导通损耗等潜在优势。大尺寸晶体的等径生长能力是制约其产业化进程的核心瓶颈之一。镓仁半导体在12英寸尺寸上的突破，为氧化镓衬底的规模化制备提供了新的技术路径，但其后续的衬底加工良率、器件验证及客户导入进展仍有待观察。
该文观点仅代表作者本人，企服科学平台仅提供信息存储空间服务。
