9月19日，据三位知情人士透露，长鑫存储正计划进入NAND闪存市场。该公司计划在北京新建工厂中建立一条NAND闪存研发生产线，并已在北京设立研究院，研究方向包括NAND开发。
知情人士称，长鑫存储已就其NAND业务规划与客户展开接洽。其中一家新成立的初创企业计划采购长鑫存储的NAND芯片，用于人工智能系统及超级计算机的存储产品研发与部署。目前全球NAND闪存市场主要由三星电子、SK海力士、美光科技等厂商主导，长鑫存储的进入将使其与上述企业形成直接竞争。
长鑫存储是国内主要的DRAM存储芯片制造商，此前业务重心集中于动态随机存取存储器领域。此次向NAND闪存领域拓展，意味着其产品线将从内存扩展至存储市场。NAND闪存广泛应用于固态硬盘、移动设备存储及数据中心等场景，近年来受人工智能算力需求拉动，高性能存储产品需求持续增长。
存储芯片属于半导体产业的核心环节，NAND闪存市场长期由少数国际厂商占据主要份额。国内企业在DRAM领域已实现一定程度的量产突破，但在NAND闪存领域，规模化量产能力仍待建立。长鑫存储若成功进入该市场，将进一步完善国内存储芯片的产业布局。
截至发稿，长鑫存储尚未就上述消息进行公开回应。其NAND产品的具体量产时间表及技术路线仍有待进一步披露。
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