三星电子于当地时间10月29日举行2026年第三季度财报电话会议，公司高管在会上披露，2027年的高带宽内存（HBM）产能已按既定目标价格售罄，并预计2028年整体DRAM内存供应将维持紧张态势。
从当季业绩表现看，三星电子DRAM与NAND出货容量均实现个位数百分点增长，平均销售价格（ASP）分别上涨20％和近10％。公司预计2026年第四季度DRAM出货容量将增长15％至20％，NAND出货容量增长约15％。高管同时提到，市场对QLC产品的需求大量涌入，但存储半导体市场整体仍处于供大于求的状态。
在长期供货协议方面，三星存储器业务已与10家客户签署LTA（长期协议），并正与另外10家客户就多年期合同进行洽谈。随着对这一协议形式感兴趣的客户扩展至移动、汽车、网络等领域，三星正推进通过多年期合同锁定60％至70％产出的计划。公司表示，客户对滚动续签的需求超出预期，部分客户希望在协议期内追加供应。
HBM业务是本次财报会议的关注重点。三星电子已提前实现细分市场市占率与整体DRAM市占率齐平的目标。其HBM4销售额在第三季度环比增长超过3倍，已占HBM总营收的60％。这一数据表明，三星在下一代HBM产品的量产爬坡上取得阶段性进展。
晶圆代工业务方面，三星计划加大对韩国及美国晶圆厂的投资，并希望同步建设先进封装产能，目前正就包括建设更多晶圆厂在内的扩展计划进行评估。该业务预计8nm以下节点的产能利用率将突破100％。
HBM产能提前锁定与DRAM供应持续偏紧的预期，反映出AI算力需求对存储产业链的拉动仍在延续。对下游AI芯片与服务器厂商而言，多年期合同占比提升意味着内存采购的确定性增强，但供应紧张格局短期内难以缓解。
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