9月28日晚间，长鑫科技发布公告，披露两项使用超募资金投资建设的新项目。公司拟使用超募资金130亿元投资新建技术研发项目，同时拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品（合肥）有限公司提供超募资金50亿元，由其投资新建存储器晶圆后道测试基地二期项目。
根据公告披露的项目基本情况，技术研发项目总投资金额为241亿元，建设周期30个月，资金主要用于技术研发。存储器晶圆后道测试基地二期项目总投资金额为108亿元，建设周期37个月，计划建设一座测试工厂，为DRAM存储芯片提供测试以及模组组装。两项投资合计349亿元，资金来源均为超募资金。
长鑫科技在公告中解释了自建测试产能的动因。公司表示，测试是DRAM生产中不可或缺的关键环节，但因其测试的专用设备特性，随着公司产能不断提升、产品种类增多，可能面临外部封测厂测试产能不足和新增投资配套不足的问题。为保障测试产能不成为公司产能制约瓶颈并保障供应链安全，公司急需增加自建测试产能的投入。
公司进一步指出，通过自建存储器晶圆后道测试和模组项目，能够更灵活协调测试产能利用，降低公司DRAM芯片测试成本，提升公司运营效率和测试技术，有利于公司进一步完善IDM模式、增强公司的整体竞争力。
长鑫科技是国内主要的DRAM存储芯片制造企业，采用IDM（垂直整合制造）模式运营，业务覆盖芯片设计、制造与销售。存储器晶圆后道测试是芯片制造流程中连接晶圆制造与成品交付的关键环节，主要对切割后的晶圆进行性能与可靠性验证，并完成模组组装。在DRAM产能持续爬坡的阶段，后道测试产能的匹配程度直接影响产品交付节奏与成本结构。
从行业视角看，存储芯片制造的资本开支通常呈现重资产、长周期特征。长鑫科技此次将超募资金集中投向研发与后道测试两个方向，前者指向工艺与产品迭代能力，后者指向产能配套与供应链自主性。在DRAM市场价格波动与产能竞争并存的背景下，制造企业通过自建测试产能减少对外部封测资源的依赖，已成为提升交付确定性的常见路径。
两项项目的建设周期分别为30个月和37个月，均属于中期投入。项目落地后，长鑫科技在测试环节的自有产能比例将有所提升，其IDM模式的完整度也将进一步补强。对于国内存储产业链而言，制造端企业在后道环节的持续投入，也将对封测设备与配套材料的需求结构产生影响。
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