据韩媒MONEYTODAY报道，三星电子的晶圆代工业务正考虑新建4nm与2nm生产线，以扩大这两个制程节点上的制造能力，应对HBM内存对先进基础裸片（Base Die）的旺盛需求。
在存储业务方面，三星电子已确认将在HBM4（E）世代使用4nm Base Die，而HBM5内存则将升级至2nm Base Die。对于定制HBM产品，其Base Die需要从主芯片卸载功能电路，对制造工艺提出了更高要求。此前有消息指出，三星晶圆代工已将半数4nm产能用于HBM4 Base Die的生产，随着存储业务HBM4出货进一步加速，4nm Base Die的需求预计将再度提升。
在2nm制程方面，三星电子移动体验业务计划为更多Galaxy S/Z系列手机导入系统LSI业务设计的Exynos处理器，这同样需要更大的产能支撑。此外，三星晶圆代工已接获特斯拉等重要客户的订单。NVDIA、Groq 3等AI芯片也正处于持续扩产阶段。
三星晶圆代工此次产能扩建计划，反映出AI算力需求增长正沿产业链向上传导至先进制程制造环节。HBM作为AI芯片的关键配套存储，其基础裸片对4nm、2nm等先进节点的依赖，正在成为晶圆代工业务新的增长点。与此同时，移动处理器与AI芯片订单的叠加，也进一步推高了对先进制程产能的需求。
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