据科技媒体《The Information》11月6日援引两名知情人士报道，台积电正考虑扩大业务版图，进军先进内存芯片制造，以在快速扩张的AI硬件供应链中获取更大份额。报道称，台积电近期已应其最大客户英伟达的要求，开始规划生产一种名为“3D DRAM”的先进内存芯片。
3D DRAM架构通过垂直堆叠存储单元来提升容量，被视为应对AI算力对高带宽、高密度内存需求的关键技术方向之一。随着大模型训练与推理规模持续扩大，AI加速器对高带宽内存（HBM）及更高密度存储方案的依赖显著上升，存储供应已成为制约AI硬件出货的重要环节。
报道显示，台积电目前尚未确定量产时间，也未最终决定产能来源。公司正在评估两条路径：一是兴建专用新厂，二是收购现有晶圆厂并改造为内存生产设施。两种方案在资本开支、建设周期与产线改造难度上存在明显差异，台积电尚未对外披露倾向性选择。
这一动向若落地，将意味着台积电从长期专注的晶圆代工、逻辑芯片制造，向三星电子、SK海力士和美光长期主导的存储芯片市场延伸。存储芯片市场长期由上述三家厂商占据主要份额，台积电的进入将改变现有竞争格局，同时也可能重塑AI硬件供应链的分工方式。
对英伟达而言，若能获得更近的先进内存供应，有助于缓解AI加速器所需高带宽内存的供应压力。当前英伟达的AI芯片依赖外部存储厂商供应HBM，供应链条较长且产能受限，若台积电切入3D DRAM制造，英伟达有望在存储环节获得更多供应弹性。
不过，该消息仍属市场传闻。台积电回应称“不评论市场传闻或揣测”，并强调公司始终专注于晶圆代工核心业务；英伟达则未回应置评请求。台积电长期以逻辑芯片代工为核心，涉足存储制造需要跨越工艺、设备与客户结构等多重门槛，其实际推进节奏仍有待观察。
从行业层面看，AI算力需求正推动逻辑芯片与存储芯片的协同设计走向更紧密的结合。若代工厂商开始介入先进内存制造，AI硬件供应链的分工边界可能进一步模糊，存储厂商与代工厂商之间的竞合关系也将随之调整。
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