在首尔江南区COEX举行的第28届韩国半导体大展（SEDEX 2026）上，SK海力士开发总管安炫（Ahn Hyun）发表主旨演讲，预测到2030年AI基础设施性能规模将增长约20倍。安炫指出，当前AI推理市场正同时在三个维度快速扩张：任务复杂度的提升、单次处理信息量（上下文长度）的激增，以及推理请求量的井喷。这些因素相互交织，推动AI算力基础设施需求迅猛增长。
随着AI推理需求暴增，承担海量数据存储与迁移任务的存储器关键地位愈发凸显。特别是用于保存并复用前序处理信息的键值缓存（KV Cache）容量持续膨胀，迫使系统必须将数据分摊存储于高带宽内存HBM、DRAM以及SSD等不同介质中。分析表明，在此过程中产生的数据迁移，正演变为制约性能提升并推高系统能耗的全新瓶颈。
安炫强调，行业不能仅停留在提升单一存储芯片的性能上，而亟需采取优化整个存储层次结构的全局方案。为此，SK海力士在持续优化现有HBM性能的同时，正全力推进3D堆叠DRAM以及高带宽闪存HBF等下一代存储技术的研发。
其中，3D堆叠DRAM通过在GPU、NPU等逻辑芯片之上直接堆叠DRAM，在大幅跃升传输性能的同时显著降低能耗。高带宽闪存HBF则将成熟应用于HBM的硅通孔立体堆叠与高速I/O接口技术导入NAND闪存，旨在HBM与DRAM之间开辟全新的存储层级。据SK海力士方面披露，其目标是将HBF的带宽做到同代HBM的50％左右，同时实现约10倍的容量扩容。
从行业视角看，SK海力士此次预测反映出AI算力竞争正从单一芯片性能比拼转向存储层级体系的整体优化。随着推理场景对内存容量与带宽的需求持续攀升，HBM、DRAM与NAND闪存之间的协同调度能力，或将成为衡量AI基础设施竞争力的关键指标。
该文观点仅代表作者本人，企服科学平台仅提供信息存储空间服务。
