美法院驳回三星、SK海力士、美光撤诉动议,DRAM价格操纵案进入证据开示阶段

法官目前只是驳回了被告的撤诉动议,认为原告的指控在表面上具备“合理性”,准许案件进入下一阶段(证据开示与实质审理),尚未作出三家公司构成违法或须承担赔偿责任的最终实体判决。

美国加利福尼亚北区联邦地区法院法官诺埃尔·怀斯(Noël Wise)于当地时间11月14日发布裁决,全盘驳回三星、美光与SK海力士联合提交的驳回起诉动议,裁定原告起诉书就三方违反《谢尔曼法》第1条达成非法协议一事作出了具有合理性的指控。这意味着这起针对全球三大DRAM制造商的集体诉讼将进入证据开示与实质审理阶段。

该诉讼由来自美国五个州的17名消费者及小型企业于2026年6月25日联合提起。诉状指控三星、SK海力士和美光通过人为限制DRAM供应制造市场短缺,进而大幅抬高内存价格,损害消费者利益。诉状数据显示,截至2025年第三季度,三家DRAM巨头合计占据全球DRAM市场91%以上的营收份额。

案件的核心争议在于三方的产能调整行为是否构成协同限产。被告辩称,其审慎的产能调整是对人工智能需求激增的自然反应,且与2018年一起此前已被驳回的诉讼情形类似。怀斯法官对此不予认同,在裁定书中直言“本院认为事实并非如此”。针对三家公司所称“高度集中的市场中竞争对手自然会密切关注彼此动向”的抗辩,她写道,原告的指控已远超“鹰群彼此观望”的范畴,更像是“鹰群编队飞行”,而这并非鹰类在自然状态下的常规行为。

起诉书披露的产能与价格数据构成案件的关键事实基础。三家制造商于2022年底开始削减传统内存产量,并在2023年将晶圆产能转向高带宽内存(HBM)。在三家公司均未扩大总产量的情况下,这一产能分配转移在18个月内(2024年第三季度末至2026年第一季度末)推动传统DRAM价格飙升697%。由于每GB的HBM所需消耗的硅晶圆面积是标准DDR5内存的三到四倍,产能转移严重挤压了消费级与个人电脑市场的内存供应。

怀斯法官在裁定中列举了三方多项超出正常市场规律的协同行动,并指出若非事先存在默契,这些举措将极难逆转。具体包括:三星和SK海力士拒绝与传统DRAM主要采购方签订长期协议,同时推迟或叫停新建DRAM晶圆厂计划;三家公司在2025年同一季度内陆续削减并关停DDR4生产线;美光于2025年12月3日宣布关停旗下拥有近30年历史的消费级存储品牌英睿达(Crucial)。法院同时注意到,三家公司在2026年1月采取了如出一辙的客户审查机制,且三者曾在1998年至2002年间有过价格操纵的前科。

需要指出的是,法官当前裁决仅针对撤诉动议,认定原告指控在表面上具备合理性,尚未就三家公司是否构成违法或须承担赔偿责任作出最终实体判决。根据程序安排,怀斯法官已责令三家DRAM制造商于2026年12月7日前就起诉书提交正式答辩状,首次案件管理会议定于2027年1月12日举行。

此案的影响范围超出单一法律纠纷。在AI算力需求持续扩张的背景下,HBM产能对传统DRAM晶圆资源的挤占已成为存储行业的结构性议题。若证据开示阶段披露更多产能分配与定价协同的内部通信,可能对三家厂商的合规审查与客户合同条款产生连锁影响,并为全球其他司法辖区的反垄断监管提供参照。

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