10月21日，佳能披露半导体光刻设备增产计划，明年产量最高将接近今年的两倍。此前一天，尼康宣布启动更高精度数字光刻设备研发，继续布局先进封装市场。一周前，ASML在第三季度财报中表示，客户对2027年、2028年的设备需求已超过现有扩产计划，并开始询问2029年、2030年的供货安排。
ASML计划明年将低数值孔径EUV和浸没式DUV产能各提高30％，并探索后年增幅超过30％的可能。公司同时确认，与主要客户的定价谈判已经完成，部分关键产品将提价，影响将在2027年部分体现、2028年充分体现。ASML预计今年低数值孔径EUV产出约65台，浸没式DUV交付目标调整至与上年相当的水平。其埃因霍温新园区首期预计2029年投入使用，近期增产仍主要依靠现有设施。在接单方面，ASML已陆续收到2028年订单，但对2029年、2030年的采购意向暂未接受正式订单，需先汇总客户需求再对照自身产能进行分配。
佳能将利用去年建成的宇都宫新厂等设施落实增产计划。负责产业设备业务的武石洋明表示，中国台湾、韩国、中国大陆及全球多地半导体厂商均在推进投资，相关需求可能延续到2028年。佳能的i线光刻机用于存储和功率器件的部分制造工序，这些市场的扩产也在增加设备需求。在先进后道光刻领域，佳能设备询价从2025年中开始急增，公司计划到2029年将这类设备产能较2026年提高50％，并继续开发大尺寸基板产品。
尼康于10月13日公布数字光刻设备DSP-110，计划2027年4月发售。该设备采用无掩模数字光刻，可处理大尺寸方形基板并支持300mm晶圆，线宽和间距分辨率为1.5μm，在510mm×515mm基板条件下每小时可处理72片，较前代提高约40％。10月20日，尼康进一步宣布启动0.5μm数字光刻系统研发，并获得日本新能源产业技术综合开发机构项目支持，目标是将不同层线路的对准误差控制在±0.15μm以内。此外，佳能还在推进面向晶圆制造的纳米压印技术，自2023年推出设备以来，客户正进行量产线优化的最后调整。
产业链上游同样在加快布局。德国通快截至今年6月底的财年EUV业务收入达7.91亿欧元，同比增长9.2％，公司预计2026/27财年EUV业务订单和收入均将实现两位数增长。JSR位于韩国梧仓的工厂于9月底竣工，承担金属氧化物光刻胶最终生产工序。从设备扩产到材料配套，光刻产业链正进入新一轮投资周期，存储客户扩产与先进DRAM工艺中EUV使用增加成为主要驱动力，ASML预计今年面向存储客户的设备销售额将增长约75％。
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