英特尔首席技术官普什卡尔·拉纳德（Pushkar Ranade）在近日播出的一档访谈中表示，从制程技术角度看，英特尔与台积电之间的差距已缩小至几个百分点，但在制造规模上追赶台积电仍将是一个缓慢的过程。
拉纳德指出，若仅讨论技术水平，英特尔已接近台积电，但在性能、功耗和面积密度等指标上仍可能存在几个百分点的差距。他强调，先进制程的竞争不能只看单项基准测试结果：当制程落后一整代时差距相当明显，而当双方技术水平接近时，制造执行能力、良率以及产能爬坡速度的重要性随之上升。相比追求性能或芯片面积密度上的小幅领先，按时推进制程、提高良率并快速扩大产能更为关键。台积电目前的晶圆制造规模明显大于英特尔，双方竞争不仅涉及技术指标，还取决于能否稳定量产大量先进芯片。
在产能扩张方面，拉纳德表示，即使英特尔希望大幅增加先进制程晶圆产量，全球半导体制造设备的供应能力也难以支撑产量增长十倍，在现有条件下产量翻倍更具可行性。极紫外（EUV）光刻设备是主要瓶颈之一，其他制造设备同样存在供应紧张问题。他还透露，从18A制程转向14A制程时，英特尔预计可复用约80％的设备，但新制程仍需部分新设备，当前下单的设备交付周期可能达到约18个月，若需新建晶圆厂，投产时间可能进一步延后。
同一场访谈中，英特尔制造开发与客户合作部门副总裁兼总经理克里斯·奥斯谈及高数值孔径极紫外光刻（High-NA EUV）技术的应用。High-NA EUV将光学系统数值孔径从传统EUV设备的0.33提升至0.55，可实现约8nm分辨率，有助于在单次曝光中制造更精细图形并减少多重图形化步骤。奥斯表示，英特尔采用背面供电架构，将供电网络转移至晶圆背面，减少晶圆正面布线间距压力，因而能在部分工艺层直接使用High-NA EUV设备。他认为，英特尔与台积电技术架构不同，对High-NA EUV经济效益的结论也会不同；在其讨论的部分工艺设计中，台积电线路间距更紧密，仍需双重曝光工艺。奥斯还透露，英特尔14A制程已将High-NA EUV作为工艺设计工具包（PDK）中的可选方案提供给客户，将根据客户需求逐一讨论是否采用，而非要求所有客户统一使用。
此番表态勾勒出英特尔代工业务当前的双重挑战：技术指标逐步收敛的同时，产能规模、设备供应与交付周期构成的执行层面约束，仍是其与台积电竞争的关键变量。
该文观点仅代表作者本人，企服科学平台仅提供信息存储空间服务。
