芯片设计服务与IP企业创意电子（GUC）于9月22日宣布，其采用台积电2nm工艺制程N2P的HBM4E物理层（PHY）与控制器（Controller）IP已完成设计定案，并获得客户AI ASIC采用。
据介绍，该HBM4E IP支持16Gbps数据传输速率，在功耗与面积方面提供业界领先的表现。创意电子针对信号完整性与电源完整性进行了优化，并支持CoWoS-S/R/L先进封装方案，可适配不同层级的2.5D封装需求。
为支持3D SoIC架构，创意电子还推出了专为台积电SoIC-X技术设计的face-up版本HBM4E IP。该变体集成用于垂直传输信号与电源的TSV（硅通孔）结构，为复杂的3D整合架构建立完整的连接路径。
HBM4E是JEDEC标准组织正在推进的下一代高带宽内存规范，相比HBM4进一步提升单引脚速率与带宽密度，主要面向大规模AI训练与推理芯片。创意电子此次在台积电N2P节点上完成HBM4E IP定案，意味着其客户可在2nm级AI ASIC中集成更高带宽的内存接口，缓解大模型推理场景下的内存墙瓶颈。
创意电子长期为AI、HPC领域客户提供ASIC设计服务与IP授权，与台积电在先进制程和先进封装上的协同较为紧密。此次HBM4E IP获客户AI ASIC采用，表明2nm级AI芯片的内存子系统正从HBM3E向HBM4/HBM4E加速迁移，先进封装与3D堆叠能力成为IP供应商的竞争焦点。
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