摩根士丹利在最新研究报告中指出，受存储厂商将晶圆产能转向HBM、DDR5和高层数NAND的影响，成熟型DRAM内存和NAND闪存芯片的供应紧张状态可能进一步恶化。该机构预测2026年第三季度DDR4内存价格将上涨50％，第四季度再上涨10％以上。
SLC NAND的价格涨幅更为显著，预计2026年第三、四季度均上涨50％以上。摩根士丹利认为本轮供应收缩主要由供给侧变化推动，存储厂商持续将晶圆产能转向HBM、DDR5和更高层数的NAND，留给DDR4与SLC NAND的产能份额快速缩小。
HBM因其垂直堆叠结构等原因，晶圆消耗量约为传统DRAM的3倍。瑞银近期预计，英伟达单家公司在2027年将消耗约251亿Gb的HBM，而整个行业的需求约为615亿Gb。这一需求规模正在加速存储厂商的产能迁移决策。
DDR5价格同样保持上涨趋势。美国银行数据显示，DDR5-5600/6400 24GB内存的现货价格在8月环比上涨8％，同比涨幅约为483％。
本轮涨价潮波及企业级存储、服务器及个人电脑市场。对于依赖DDR4和SLC NAND的行业用户而言，未来数个季度的采购成本将面临显著上行压力。存储厂商的产能分配策略与AI算力需求的扩张，正在重塑整个内存和闪存市场的供需格局。
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