美光（Micron）于当地时间10月21日举行2026年度技术网络研讨会，对DRAM、泛HBM、NAND与SSD产品线进行了展望。会上，美光披露了其堆叠集成泛HBM内存的长期路线图，预计在标准HBM5面世的2028年，同步推出两种新型3DS内存产品——vHBM与vEIM。
据美光介绍，vHBM可理解为3D集成版本的HBM，其核心变化在于垂直堆叠DRAM Die、Base Die与XPU逻辑主芯片。通过将逻辑主芯片纳入堆叠结构，vHBM能够进一步缩短数据通信路径，从而提升带宽效率并降低能耗。该产品设计上可与标准2.5D HBM方案共存，为系统厂商提供更灵活的集成选择。
另一款产品vEIM在结构上与vHBM类似，但设计目标转向端侧AI推理场景。美光给出的初代产品指标为2TB/s带宽与低于1pj/bit的能效水平，指向边缘设备在本地运行AI推理任务时对内存带宽与功耗的双重约束。当前端侧AI推理受限于内存带宽和能耗，vEIM的定位正是针对这一瓶颈。
在实现路径上，美光计划应用无凸块的混合键合技术，并导入集成散热解决方案，以支撑垂直堆叠结构下的互连密度与热管理需求。混合键合被视为下一代HBM封装的关键工艺方向，其互连间距较传统微凸块方案显著缩小，有助于提升堆叠层数与信号完整性。
从行业层面看，HBM的竞争焦点正从单纯的层数堆叠与容量扩展，转向封装工艺与系统级集成的深度整合。美光此次将XPU逻辑芯片纳入内存堆叠的设计，意味着内存厂商与计算芯片的协同边界进一步前移。对于AI基础设施而言，若vHBM按计划于2028年落地，内存与算力芯片之间的带宽瓶颈有望得到缓解，但混合键合的良率与散热方案的实际表现仍需后续验证。
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