据《The Information》8月31日报道，长鑫存储已启动HBM3E内存的风险试产工作。该公司当前计划扩大产能，预计到今年年底，其DRAM制造能力将达到每月35万片晶圆，未来几年产能还将继续提高。
目前长鑫存储的HBM3E生产规模依然十分有限，这意味着其刚刚进入风险试产阶段。根据JEDEC固态技术协会规范，HBM3E应采用1024-bit位宽，单引脚速率介于9.2Gbps至12.4Gbps之间，大多数标准配置的目标速率为9.6Gbps。在9.6Gbps的典型配置下，HBM3E的总带宽可达1.2TB/s。在采用8层堆叠（8-Hi）、单层24Gb DRAM芯片的情况下，其单个堆栈容量为24GB；采用12层堆叠时，容量可达36GB。
长鑫存储在晶圆厂洁净室建设速度方面拥有明显优势。其建设一座晶圆厂洁净室仅需12个月，其他厂商通常需要两年。考虑到长鑫存储此前已具备从风险试产快速过渡到大规模量产的能力，因此其HBM3E有可能在数周内进入大规模量产阶段。
HBM3E是当前AI加速器和高性能计算领域的关键存储器件，其高带宽特性对大规模模型训练和推理场景至关重要。长鑫存储作为国内主要的DRAM制造商，此次HBM3E的推进标志着其在高端存储领域的技术布局进入新阶段。随着产能的逐步释放，该公司在AI基础设施供应链中的角色将愈发重要。
业内分析认为，HBM3E的量产能力将直接影响国产AI算力基础设施的供应链安全。长鑫存储的产能扩张计划，以及其在洁净室建设上的效率优势，有望加速其在高端存储市场的份额提升。后续市场表现取决于其产品良率、客户认证进度以及全球存储市场的供需格局变化。
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