第十四届半导体设备材料及核心部件展（CSEAC 2026）于2026年8月31日至9月2日在无锡太湖国际博览中心举办。展会期间，多家国产半导体设备企业集中发布新品并披露业务进展，覆盖工艺设备、量检测设备及先进封装设备等核心环节。从展会现场传递的信息来看，国产半导体设备在光刻、刻蚀、薄膜沉积等大品类上已形成平台型龙头，而离子注入机、量检测设备等此前国产化率最低的细分领域，正成为产业链下一阶段攻坚的重点。
在工艺设备领域，国产设备商已在大市场规模品类中实现突破。中微公司在展会期间宣布推出多款全新自主研发的高端微观加工设备，包括Primo XD-RIE 70到90比1极高深宽比刻蚀设备、Performo QuaStar系列PECVD、Prefima Unicore AM原子层沉积金属钼设备、Preforma Uniflash金属硅化物集成系统及PRISMO PDS8碳化硅功率器件量产HTCVD。这是中微公司继今年3月发布四款新品后，半年内又一次高密度新品集中亮相，覆盖先进逻辑制程、功率半导体工艺、薄膜沉积及精密刻蚀等核心环节。截至目前，中微公司累计已有超过8800个反应台在国内外170多个客户、220余条芯片及LED生产线实现量产，并在五个地区建立了研发和生产基地。
上海微电子装备展示了其前道KrF干式光刻机、I-line扫描投影光刻机及相关核心分系统产品。其中，I-line扫描投影光刻机采用365nm波长光源，分辨率达到280nm；KrF扫描投影光刻机采用248nm波长光源，分辨率达到110nm。据现场信息，上海微电子的光刻设备客户方累计产量已超1000万片。
北方华创作为国产设备平台化代表，其产品矩阵已覆盖刻蚀、薄膜沉积、清洗、热处理等多个品类。本届展会上，北方华创展示了等离子体浸没离子注入机和中束流离子注入机等产品，正式切入离子注入机赛道。晶盛机电也在向前道设备扩展，其开发的硅中束流离子注入机目前正在下游客户验证中。思锐智能在推进ALD业务转型升级后，近年来布局离子注入设备并取得突破，展示了SR11 HEI高能离子注入机系列、SR11 HCI大束流离子注入机系列等产品，其中碳化硅离子注入机已进入验证阶段。
此外，聚焦离子注入机的初创企业艾恩半导体展示了Ai-250、Ai-300、Ai-80HC、Ai-200HC.D等系列产品，已形成覆盖中束流、大束流、高能、特种等全谱系的离子注入装备矩阵，涉及硅基与碳化硅两大工艺路线，其碳化硅高温离子注入机已实现量产出货。据艾恩半导体介绍，当前国内离子注入机整体国产化率不足15％，其中大束流机型国产化率不足10％，高能机基本为空白。国际最先进的离子注入机已禁止向中国出口，对应二手设备也无法采购，国内晶圆厂仅能使用老旧型号设备，影响良率和稳定性。目前国内可推出成熟离子注入机产品的企业数量较少，大部分仍处于验证阶段，且几乎所有厂商均未实现盈利，处于高研发投入期。
离子注入机的国产化难度不仅在于市场规模较小，更在于技术路径的不可迁移。刻蚀机和薄膜沉积设备共享等离子体物理、真空腔体、射频功率等核心技术底座，企业可将在刻蚀领域积累的经验复用到沉积设备上。而离子注入机的核心技术是离子光学、电磁质量分析、高压加速，更接近粒子加速器而非传统半导体工艺设备，刻蚀机的技术积累难以迁移至此。
与离子注入机形成对比的是，量检测设备的国产化进展更快。中科飞测作为国内首家在量检测领域实现平台化布局的企业，已自主研发推出明场纳米图形晶圆缺陷检测设备、暗场纳米图形晶圆缺陷检测设备、无图形晶圆缺陷检测设备、三维形貌量测设备、晶圆介质薄膜量测设备、套刻精度量测设备等系列产品，并拓展至OLED面板缺陷检测和3D曲面玻璃量测等泛半导体领域。据现场工作人员介绍，该公司全系列设备累计交付量约1500台，已量产和正在验证的设备种类占质量控制设备市场总量超70％，产品已覆盖国内多个一线集成电路大厂，四大晶圆厂的高端明暗场设备已实现高比例替代，部分全新产线未采购海外设备而直接采用其产品。
御微半导体展出了在掩模基板制造、掩模版制造、芯片制造和先进封装四大领域的产品布局，其中与掩膜相关的检测设备进展最快，部分设备已达海外顶尖水平，可实现完全替代，设备已进入国内头部晶圆厂。东方晶源展出的是电子束量检测设备，包括CD-SEM、HV-SEM、EBI和DR-SEM。其中，EBI设备可用于28nm及以上逻辑工艺、200层及以上3D NAND工艺，具备100nA级检测束流和深度学习缺陷自动分类算法；HV-SEM可用于14nm及以下逻辑工艺、200层及以上3D NAND工艺和先进节点DRAM工艺，着陆能量可达45 keV；CD-SEM的量测重复性达0.15nm，设备同一性达0.1nm。
从本届CSEAC展会传递的信号来看，国产半导体设备已在大品类上完成从研发到量产的跨越，中微公司、北方华创等平台型龙头在各自细分领域达到国内领先水平。与此同时，离子注入机、量检测设备等此前国产化率最低的品类正成为产业链攻坚的重点方向，部分企业已实现量产出货或进入头部晶圆厂验证。随着美国对华半导体出口管制持续收紧，这些薄弱环节的自主化进程将直接决定国产设备能否支撑先进制程逻辑芯片及HBM等新兴需求，未来五年的产业进展值得持续关注。
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