8月27日，SK海力士在美国印第安纳州西拉斐特举行面向AI的存储器先进封装生产基地奠基仪式。该后端工艺晶圆厂总投资额将超过40亿美元（约合269.49亿元人民币），预计于2028年10月完成无尘室建设，并于2029年下半年启动新一代HBM量产，总员工数量有望超过1000名。
该生产基地聚焦HBM（高带宽存储器）的先进封装环节，是SK海力士在海外布局的首个HBM封装设施。由于SK海力士没有在美国的前端DRAM晶圆产能，因此印第安纳州封装基地将使用在韩国生产的先进晶圆，通过将前端制造与后端封装分离的供应链安排，实现HBM产品的本地化生产。
SK海力士还将与生产线同步构建“先进封装研发测试床”，以便与客户、大学及商业合作伙伴共同开发下一代封装技术，并能够快速推进原型试制与性能验证。此外，SK海力士还与普渡大学签署研发合作谅解备忘录，以加强在先进封装领域的产学研协同。
HBM作为AI加速器核心配套存储产品，近年来需求持续攀升。SK海力士在全球HBM市场占据领先份额，其客户包括英伟达等主要AI芯片厂商。此次美国生产基地的落地，有助于SK海力士贴近北美客户需求，缩短供应链响应时间，同时规避地缘政治因素对先进制程产能布局的潜在影响。
随着全球AI算力基础设施投入持续扩大，HBM的产能与封装能力已成为存储厂商竞争的关键变量。SK海力士美国基地的建成投产，将进一步提升其在全球HBM供应链中的产能弹性，并推动先进封装技术从研发到量产的商业化落地进程。
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