8月27日，存储芯片制造商铠侠（Kioxia）宣布，已启动位于日本岩手县北上市工厂的K3制造大楼（Fab3晶圆厂）的场地准备及相关建设工作。这座新的先进NAND闪存晶圆厂预计将于2029财年投入运营。
铠侠方面表示，Fab3的详细规划，包括建设进度和设备投资，将根据市场趋势确定。值得注意的是，该晶圆厂的投资计划取决于日本政府的支持。这一安排延续了铠侠此前在四日市和北上工厂建设中的政企合作模式，此前铠侠与闪迪（SanDisk）曾宣布未来6年在日本追加投资超过310亿美元，用于扩大NAND闪存产能。
从产业背景来看，此次扩产动作与AI算力基础设施的快速增长密切相关。铠侠在公告中称，在代理/物理/端侧人工智能的驱动下，闪存市场预计将在中长期内持续显著增长。企业计划通过建设北上Fab3晶圆厂扩大产能，确保尖端闪存产品的稳定供应，从而满足不断增长的市场需求。
北上市工厂是铠侠在日本的重要生产基地之一，与四日市工厂共同承担NAND闪存的生产任务。此次启动的K3制造大楼是北上市工厂的第三座晶圆厂，其选址位于现有厂区的空地位置。随着AI大模型训练和推理对存储容量和带宽的要求持续提升，NAND闪存作为AI基础设施的关键组成部分，其战略地位正在不断强化。
铠侠的前身是东芝存储器，2018年从东芝独立后，于2019年更名为铠侠。该公司是全球第二大NAND闪存制造商，市场份额仅次于三星电子。在存储芯片行业经历周期性波动的背景下，铠侠选择在此时启动新厂建设准备，反映出其对AI驱动下存储需求长期增长的判断。
从行业维度观察，AI工作负载对存储系统的要求正在从传统的容量驱动转向性能与容量的双重驱动。端侧AI（如AI手机、AI PC）的普及将进一步拉动对高密度、低功耗NAND产品的需求。铠侠此次扩产计划，与SK海力士、美光等竞争对手在HBM和NAND领域的投资布局形成呼应，表明存储芯片厂商正在为AI时代的存储需求扩张提前卡位。
按照规划，Fab3晶圆厂从场地准备到2029财年正式投运，建设周期约为四年。这一时间表与存储行业资本开支的周期性特征相符，也考虑了市场需求的演变节奏。铠侠表示，具体的建设进度和设备投资规模将根据市场趋势灵活调整，以保持产能扩张与需求增长之间的平衡。
此次扩产计划的落地，将在一定程度上影响全球NAND闪存市场的供给格局。随着AI基础设施投入的持续加大，以及企业级SSD和端侧存储需求的稳步增长，NAND闪存市场有望在2025年后进入新一轮上行周期。铠侠在北上工厂的产能扩张，将为其在下一轮市场增长中保持竞争地位提供产能基础。
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