市场研究机构Counterpoint Research于9月2日发布的报告显示，长鑫存储2026年第二季度按营收计算已占据全球DRAM市场10％的份额。这一数字较去年同期的4％增长150％，较上一季度的8％环比增长25％，使长鑫存储成为全球市场份额增长最快的DRAM供应商，并稳居全球第四位。
从头部厂商格局来看，三星电子继续以39％的市场份额保持全球DRAM市场第一的位置。SK海力士份额从去年同期的39％降至26％，但其季度营收同比增长仍达到214％。美光以25％的份额紧随其后。值得注意的是，三星、SK海力士和美光三大巨头的合计市场份额已从94％降至87％，行业集中度出现明显松动。此外，南亚科技份额从1％翻倍至2％。Counterpoint的数据还显示，2026年第二季度DRAM市场环比增长57％，同比增长385％。
长鑫存储的快速崛起始于2023年，当时其全球DRAM市场份额尚不足1％。仅用约三年时间，该公司便将份额提升至两位数，这一速度比Counterpoint和瑞银此前的预测提前了约两年。报告指出，长鑫存储的DRAM月产能预计到2026年末将提升至30万至35万片晶圆，产能扩张步伐持续加快。
在HBM（高带宽内存）市场，SK海力士以50％的份额继续保持领先，但较去年同期的64％有所下滑。三星电子以33％的份额位居第二，美光以18％的份额排名第三。目前HBM市场营收主要来自HBM3E产品，HBM4的出货预计将在2026年下半年逐步显现。长鑫存储尚未进入HBM市场份额榜单，该公司近期刚启动HBM3E的风险试产，营收贡献预计仍需一到两个季度才能体现。
长鑫存储的份额增长与全球DRAM市场的整体扩张同步发生。Counterpoint的数据显示，2026年第二季度DRAM市场环比增长57％，同比增长385％，市场处于强劲上行周期。在行业景气度提升的背景下，长鑫存储凭借产能扩张和产品迭代，正在改写由三星、SK海力士和美光长期主导的DRAM市场格局。
从行业影响来看，长鑫存储的崛起意味着DRAM市场从过去三大巨头合计占据九成以上份额的高度集中状态，逐步向更多元化的竞争格局演变。随着长鑫存储月产能向30万片以上晶圆迈进，以及HBM3E风险试产的推进，该公司未来能否在高端DRAM领域进一步突破，将直接影响全球存储市场的供需平衡和价格走势。对于下游企业服务、云计算和AI基础设施的采购方而言，DRAM供应商格局的变化也可能带来供应链策略的重新评估。
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