据路透社援引知情人士消息，中国最大的闪存芯片制造商长江存储计划在武汉建设第四座NAND工厂，该工厂将生产公司最先进的NAND芯片，存储单元垂直堆叠层数超过300层。工厂预计于明年动工，目前长江存储仅与供应商进行初步讨论，尚未正式下达订单。
在设备采购策略上，长江存储计划将新工厂的国产设备采购比例设定为至少60％，并力争达到70％。作为参照，其第三座工厂预计于今年晚些时候投产，中国供应商提供的设备占采购总量约50％以上。这意味着新工厂的国产化率将在现有基础上进一步提升约10至20个百分点。
从设备类型看，新增国产设备预计集中在芯片生产的常规工艺环节，包括晶圆清洗、抛光和刻蚀。中国企业目前已经为长江存储供应大部分清洗和抛光设备，并在制造先进NAND芯片所需的深层垂直结构设备领域取得进展。若上述采购计划落地，北方华创、中微半导体等国内设备厂商有望获得新增订单。
长江存储是中国存储芯片领域的代表性企业，其扩产节奏与设备国产化进度直接关系到国内半导体供应链的成熟度。在先进NAND芯片制造中，刻蚀设备尤其是高深宽比刻蚀环节技术门槛较高，国产设备在该领域的验证与导入进展，将成为观察国产半导体设备能力提升的重要窗口。
第四座工厂的规划若按预期推进，将进一步扩大长江存储在NAND闪存市场的产能规模，同时为国产半导体设备厂商提供更大体量的验证与量产应用场景。设备采购比例的提升能否在先进制程环节同步实现，仍有待工厂动工后的实际订单情况验证。
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