安世中国CEO张秋明在5月的新品全球发布会上宣布，公司已打通MOSFET和逻辑IC本土全链条闭环，12英寸Bipolar实现小批量量产，并给出明确的产品路线图：第三季度发布超过900个基于12英寸晶圆平台的产品，第四季度再发布超过1700个，持续向12英寸平台全品类覆盖和100％国产替代推进。这是安世中国遭遇境外晶圆供应中断330天后，首次系统性披露其供应链重建进展。
2025年9月30日，荷兰方面的行政和司法干预使安世境外相关主体的控制权受到限制，境外晶圆供应随即暂停。原本正常运转的全球IDM体系被突然切断，安世中国的生产连续性受到影响。张秋明在发布会上回忆，晶圆供应被切断后，海外总部的数据无法访问，公司面临有订单、有客户但没有晶圆可加工的困境。汽车厂商和工业设备制造商在等待安世的芯片，而安世无法获得晶圆。
安世原本是半导体全球分工的典型样本。由德国汉堡、英国曼彻斯特等基地制造晶圆，中国基地承担大规模封装测试，研发、销售和客户服务分布在不同市场。安世每年向全球交付超过1100亿颗产品，主力是二极管、晶体管、MOSFET、逻辑和ESD保护器件。这些器件单价不高，但嵌在汽车、服务器和工业设备的每块电路板上，料号多、寿命长、认证周期长，一旦进入物料清单，供货关系往往维持十年以上，临时替换并不现实。
断供影响很快越出安世中国：全球功率器件供应少了一个关键节点，汽车厂和工业设备制造商不得不重新盘点库存、寻找替代料。更深层的震动在于，跨国公司内部原本被视为最稳定的产能协同可能被行政和司法力量直接切断，全球化产业链赖以运行的信任出现裂缝。张秋明表示，安世中国以确定性覆盖所有的不确定性，用国内主导的研发、生产制造、系统、销售渠道和供应链重新保障客户需求。过去11个月，安世中国已向全球上千家客户交付超过400亿颗芯片。
此次发布的核心是12英寸晶圆平台。当前功率器件的主流制造仍以8英寸为主，部分小功率分立器件还在使用5英寸、6英寸晶圆。安世中国把车规级高压MOSFET、Bipolar和逻辑产品一起推向12英寸，SGT T2X填补了12英寸车规级高压MOSFET的平台空白，HCS则把成熟器件产线接入AI服务器的高速信号链。据安世中国披露的数据，12英寸晶圆单片有效芯片产出相对5英寸提升约5.7倍、相对6英寸提升约4倍、相对8英寸提升约2.2至2.4倍；对应单颗芯片成本相比5英寸下降约70％、相比6英寸下降约60％、相比8英寸下降50％，综合成本节约10％至30％。
性能方面，12英寸平台采用新的光刻、抛光和过程控制设备，关键尺寸精度相较8英寸提升约30％，部分器件的片内参数波动从约10％收窄到约5％。良率方面，12英寸平台采用自动化搬运和更严格的洁净控制，过程缺陷密度降低约20％，成熟制程产品良率平均提升5至10个百分点，近期量产产品的制造良率达到或超过99％。产品工作温度覆盖-55℃至175℃，每片晶圆可追溯，符合AEC-Q和IATF 16949认证要求。
据安世中国双极事业部总经理庞一兵介绍，12英寸项目并非断供后的应急方案。功率MOS、IGBT和逻辑IC向12英寸迁移几年前已经开始，断供发生后，团队又把原本主要使用5英寸、6英寸晶圆的小功率Bipolar纳入该平台。推动迁移的三层原因包括：旧尺寸难以同时满足性能、可靠性和长期一致性要求；中国合作伙伴已具备12英寸晶圆及配套能力；安世中国同时拥有MOS、IC和分立器件，几类产品可共用12英寸制造平台，规模效应得以释放。
前端晶圆升级的同时，后端封装也进行了配套调整。功率MOS封装产能已扩大到原来的4倍，封装框架从100颗提升到360颗，以接住前端增加的晶圆产出。12英寸衬底、外延片等材料在几个月内完成适配，双极器件设备按新工艺要求重新开发。安世中国的12英寸Bipolar研发和量产平台是全球首个同类平台，从启动到小批量量产用时约11个月。
安世中国的选择不是把旧产品换到更大的硅片上，而是借断供后的重建，把产品标准、制造效率和供应链能力一起向前推进。其目标不是回到断供前的状态，而是在中国构建一个能供给更高性能、更高可靠性、也更具成本竞争力产品的新供应体系。随着12英寸平台产品按季度持续发布，功率器件行业的基础供应格局正在发生结构性变化。
该文观点仅代表作者本人，企服科学平台仅提供信息存储空间服务。
