韩媒《ChosunBiz》8月24日援引市场研究机构Omdia的报告指出，三星电子今明两年按晶圆投片规模计算的DRAM内存产能仅有小幅增长，SK海力士有望缩小双方之间的产能差距。
根据Omdia的数据，三星电子2025至2027年的DRAM产能预计分别为769.5万片晶圆、817.5万片晶圆和828万片晶圆，今明两年增幅分别为6.2％和1.3％。这部分增长主要来自既有产线的进一步优化。三星电子正着重提升DRAM工艺制程良率，并推动产线从较旧世代升级至满足HBM4等生产要求的1c nm。
相比之下，SK海力士近三年的产能预计分别达到606万片晶圆、666万片晶圆和729万片晶圆，今明两年增幅分别为9.9％和9.5％。双方之间的差距有望从2025年的27.0％缩小至2027年的13.6％。
这一趋势反映出两家存储巨头在DRAM产能扩张策略上的分化。三星电子在保持现有产能规模的基础上，将重心转向先进制程的良率提升和产品结构升级，而SK海力士则通过更积极的产能扩张来追赶市场领先者。在HBM等高附加值存储产品需求持续增长的背景下，产能结构的调整或将影响未来两年全球DRAM市场的竞争格局。
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