针对有媒体报道称台积电正应英伟达要求研究开发3D DRAM内存，台积电方面予以否认，并重申公司将继续专注于逻辑芯片代工业务。台积电一名发言人向Tom’s Hardware表示，台积电始终专注于核心业务，即专业集成电路代工，公司的使命是持续成为全球逻辑集成电路产业值得信赖的技术与产能供应商。
此前The Information援引两名了解该计划的人士报道称，随着人工智能硬件需求激增，全球DRAM内存供应持续紧张、价格不断上涨，在最大客户英伟达提出要求后，台积电已开始为3D DRAM制造业务制定相关计划。报道称这项工作由台积电副总裁徐国晋负责监督，他负责公司先进封装业务，此前曾担任美光科技台湾地区业务负责人。若该计划最终落地，台积电将有望开辟一项新业务，同时进一步扩大其在AI供应链中的影响力，但也需面对内存市场周期性波动带来的风险。
从技术角度看，台积电涉足DRAM制造面临显著门槛。传统DRAM将存储单元排列在同一平面上，3D DRAM则通过垂直堆叠多层存储单元提高单片晶圆的存储容量。台积电虽拥有业内领先的逻辑芯片制造工艺，但DRAM生产需要完全不同的制造流程，若决定进军内存制造领域，必须自行开发相关技术。生产3D DRAM的难度更高，需要采用完全不同的制造技术构建多层存储单元，同时控制缺陷并维持可接受的良率。行业普遍观点认为，缺乏具备竞争力的平面DRAM制程技术基础，几乎不可能直接开发出成熟的3D DRAM制造工艺。
即便对于主要内存制造商而言，3D DRAM技术距离真正量产仍有数年时间。目前美光、三星和SK海力士都在推进各自的3D DRAM项目，但美光的DRAM技术路线图显示，在真正实现3D DRAM之前，该公司至少还要推出四代平面DRAM制程技术。这意味着即便台积电决定推进3D DRAM业务，这一战略至少在未来五年内也无法缓解当前的内存短缺问题。
另一种可行方案是收购一家拥有自有晶圆厂的小型专业内存制造商，从而获得进入先进DRAM制造领域的现实途径，而不必从零开始开发底层内存技术和知识产权。但小型内存制造商通常不具备最先进的主流DRAM制程技术，即使完成收购，台积电仍需投入数十亿美元并花费数年时间开展研发，才能建立具备竞争力的先进DRAM制程。此外，进入DRAM制造领域还会让台积电面临内存市场固有的周期性风险，内存短缺往往刺激厂商扩大产能，新增产能最终可能导致供过于求并压低产品价格与企业利润。
潜在的产业关系影响同样值得关注。2024年SK海力士与台积电达成合作，由台积电为下一代高带宽内存（HBM）产品制造逻辑基底芯片。如果台积电未来成为DRAM供应商，双方之间的合作关系可能变得更加复杂。与此同时，台积电已在先进逻辑芯片制造领域占据主导地位，并在先进封装领域处于领先位置，若再扩大内存生产规模，形成从逻辑芯片制造、先进封装到内存生产的垂直整合体系，监管机构可能会对此展开审查，重点关注这种垂直整合是否会让台积电倾向于推广自家内存产品，或对缺乏类似垂直整合能力的竞争对手形成不公平竞争优势。
事实上，台积电并不一定需要亲自生产DRAM才能从先进内存需求增长中获益。公司可以通过为HBM制造复杂的逻辑基底芯片、利用SoIC混合键合技术将内存与处理器进行集成，以及与创意电子和成熟DRAM制造商合作开发定制化内存解决方案等方式，在DRAM产业创造的价值中占据更大份额。这条路线可使台积电进一步扩大在先进内存市场中的影响力，同时避免从零开始研发具备竞争力的DRAM制程技术所需的巨额投入，也无需耗资数百亿美元建设更多晶圆厂。
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