8月26日，国产DRAM龙头企业长鑫科技发布公告，其首次公开发行股票并在科创板上市的超额配售选择权已全额行使，对应新增发行10.03亿股，发行总股数扩大至76.91亿股，总股本增至678.84亿股。因行使期内股价均高于发行价8.66元/股，未进行二级市场买入操作，最终募集资金总额为666.07亿元，净额为663.10亿元。
根据公告，募集资金净额将用于《长鑫科技集团股份有限公司首次公开发行股票并在科创板上市招股说明书》中披露的募集资金投资项目，具体包括存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目和动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。这三个方向覆盖了从现有产线优化到下一代存储技术储备的完整链条，是长鑫科技提升制程能力和产品竞争力的关键投入。
长鑫科技于7月27日正式登陆科创板，上市首日收涨465.82％，总市值突破3.28万亿元，成为A股市值最高的半导体公司之一。截至8月26日收盘，长鑫科技股价报56.10元，市值约3.75万亿元。此次超额配售选择权的行使，意味着承销商在上市后30个自然日内未动用二级市场买入机制，而是通过增发新股的方式完成稳定股价的承诺，这在市场表现强劲的IPO中较为常见。
作为国内最大的动态随机存取存储器（DRAM）制造商，长鑫科技的产品广泛应用于消费电子、服务器、汽车电子等领域。此前，全球DRAM市场长期由三星、SK海力士、美光三家巨头主导，长鑫科技的上市和扩产计划被视为国产存储芯片自主化进程中的重要节点。此次募资投向的技术升级项目，预计将进一步提升其DDR4、DDR5等主流产品的良率和性能，同时为HBM等高带宽存储器等前沿方向储备技术能力。
从行业背景看，DRAM市场在经历2023年的周期性低谷后，2024年以来受AI服务器需求拉动出现回暖迹象。AI大模型训练和推理对高带宽、低延迟存储器的需求激增，带动了DDR5和HBM等高端产品的量价齐升。长鑫科技在上市招股书中也提到，公司正加速推进先进制程研发，此次超募资金到位后，有望缩短与国际领先厂商在制程节点上的差距。
值得注意的是，长鑫科技此次发行总股数扩大至76.91亿股，总股本增至678.84亿股，稀释效应有限，显示投资者对其长期价值的认可。从上市首日至今，公司股价累计涨幅显著，市值规模已跻身A股前列，反映出资本市场对国产半导体核心资产的高关注度。不过，半导体行业技术迭代快、资本开支大，长鑫科技仍需在量产爬坡和研发投入之间保持平衡。
长鑫科技此次超额配售选择权的全额行使，反映出市场对其存储器业务前景的认可，也为后续技术研发和产能扩张提供了资金基础。随着募投项目的逐步落地，长鑫科技在DRAM市场的份额和产品竞争力有望进一步提升，对完善国内存储产业链生态具有积极意义。
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